產品介紹：
北京波威提供的OPTIPHASE光纖干涉儀用于精密測試和測量儀器以及光纖傳感系統。產品由OPTIPHASE研發的PZ1低剖面光纖拉伸器驅動，通過一個前面板BNC連接器進行增強調制。邁克爾遜干涉儀和馬赫-曾德爾干涉儀的波長從1064納米到1550納米不等。每個干涉儀都有一個“零米"路徑不匹配，這為改變延遲長度以適應不同的測試應用提供了靈活性。標準長度是50米。如有其它需求，可以根據用戶需要定制干涉儀。
產品特點：
l 高速
l 低成本
l 小體積
典型應用：
l 相干合成
l 大范圍傅里葉掃描
l 激光相位鎖定
l 微分干涉
l 太赫茲研究專用
參數指標
此款壓電型相位調制器通過壓電陶瓷對光纖的拉伸，使得經過光纖的光產生既定相位延遲，并因為壓電陶瓷周期的特性，可以引入所需頻率掃描相位延遲
比較與一般的相位調制器而言，這種調制器具有極大的相位延遲量范圍，可用于產生需求的大延遲
針對以上特性，該款產品（壓電光纖相位調制器/基于PZT相位調制器)大量用于相干合成，大范圍傅里葉掃描，激光相位鎖定，微分干涉，太赫茲研究等應用領域
此外，該款產品也應用于諸如光學干涉測量，光學傳感系統,開環解調，傳感器仿真，可變光延遲，通用光纖干涉測量法和干涉相位的大角度調制等應用
應用案例：
（一）
壓電光纖相位調制器/基于PZT相位調制器在溫度、應力、水聲及電磁場檢測等領域的應用。
傳感解調技術是光纖傳 感中的關鍵技術之一。
而光纖干涉儀構成的傳感器中，對相位的測量至關重要。目前常用的檢測技術中，大多能用到基于ＰＺＴ的光相位調制器，它既可以用于光纖干涉儀中，對外部環境擾動進行補償以提高穩定性，也可以用于ＰＧＣ解調技術，光路中相位制器的相位調制系數才能準確解調外界干擾信號，進而準確判別外界信息。相位生成載波技術在光纖相位傳感解調技術中有泛的應用，具有靈敏度高、動態范圍大等優點。而基于ＰＺＴ的光相位調制器在ＰＧＣ解調技術中可以用作干涉型傳感系統外調制器件，在ＰＧＣ解調技術中有廣泛的應用
（二）
壓電光纖相位調制器/基于PZT相位調制器在周界預警、光纖水聽器和分布式光纖傳感等方面的應用
干涉型光纖傳感器通過檢測光纖中光波相位的變化來測量外界的物理量，相比其他類型的光纖傳感器具有頻帶寬，靈敏度高，動態范圍大和易于長距離傳輸等優點，因此干涉型光纖傳感器在周界預警、光纖水聽器和分布式光纖傳感等方面得到了廣泛的研究與應用
壓電換能器PZT( Piezoelectric Transducer) 的外調制相位生成載波PGC( Phase-Generated Carrier) 法可進行深入的理論分析和實驗研究。
PZT 光纖相位調制器利用電致伸縮效應來改變纏繞在其上面的光纖的長度，進而實現對光纖中光相位的周期性調制。在馬赫曾德爾光纖干涉儀MZI( Mach-Zehnder Interferometer) 的參考臂中加入該光纖相位調制器便可以將載波信號調制到光纖干涉儀的輸出信號當中。并可實驗驗證了這種調制解調方案的可行性。結合美國國家儀器公司的數據采集系統及Labview 編寫的解調算法，在臂長為200 m 的MZI 中可實現相位解調，恢復出MZI 傳感臂中的原始相位信息，解調信號與原始信號的相關系數在0.99 以上。
（三）
壓電光纖相位調制器/基于PZT相位調制器在 通過相干合束提高光纖激光源的輸出功率的應用。
通過相干合束提高光纖激光源的輸出功率是目前研究的一個熱門領域, 其中多束激光的相位控制是提高合束效率的關鍵技術之一. 下述文章基于主動相位鎖定技術對傳統外差探測法進行了改進, 基于壓電陶瓷及光纖電光相位調制器雙通道伺服反饋, 實現了對同一激光源輸出的兩路相位獨立變化的1531 nm 激光長時間的相位鎖定. 通過選擇合適的PID 控制參數, 將反饋帶寬拓展到了220 kHz (受限于PID 控制器自身帶寬).
最終的相位鎖定控制在0.88? 以內, 即相位控制精度為/400, 經過160 s 平均后可得到相位鎖定的值為0.006?, 整體實驗裝置結構簡單、運行穩定.
（四）
壓電光纖相位調制器/基于PZT相位調制器在太赫茲研究的應用。
在基于光混合的連續波太赫茲光譜儀中，通過實現兩個壓電光纖相位調制器/基于PZT相位調制器在可以實現相位的快速調制。光程長度的變化為14毫米。主要優點是提高了測量速度。在大約3 Hz的凈數據采集速率下，僅10分鐘即可測量到高達1.8 THz的全頻譜，頻率步長為Δν1 GHz。
這對于許多應用是的，例如，依賴于溫度或磁場的測量。此外，較短的測量時間可減少設置的熱漂移影響。即使每個光纖拉伸器的總光纖長度為60 m，由于使用了ΔLm 1 m的對稱設置以及較短的測量時間，光程差也穩定在10μm左右。加上我們光譜儀的約10 MHz的高頻穩定性，這可以精確確定太赫茲相位。反過來，這可以對樣品的復雜折射率和厚度進行高精度測量，如此處針對低摻雜Si所示。
